Część z stopu ciężkiego wolframu

Część stopu ciężkiego wolframu może utrzymać kierunek wyrzutu wiązki jonowej, zwiększyć trwałość komponentu i zrealizować cel zmiany przewodności urządzeń półprzewodnikowych i struktury tranzystorowej. Truncowe części stopu, które można wykorzystać do produkcji różnych urządzeń półprzewodników, takich jak tranzystory, zintegrowane obwody, zintegrowane urządzenia, urządzenia solarne i tak dalej.

Wyślij zapytanie

Część z stopu ciężkiego wolframu

Technologia implantacji jonów półprzewodnikowych jest rodzajem wysokiej technologii modyfikacji powierzchni materiału, która była szeroko stosowana w domieszkowaniu materiałów półprzewodnikowych i modyfikacji powierzchni metali, ceramiki, polimerów itp. I stała się niezakłóconym środkiem współczesnej zintegrowanej produkcji obwodów na dużą skalę.

Część z stopu ciężkiego wolframu jest na ogół wykonana ze stopu wolframu po spiekaniu, kucie, toczenia i obróbce. Ma zalety wysokiej gęstości, dobrych właściwości mechanicznych, silnej odporności na korozję, wysoką wytrzymałość na rozciąganie, silną odporność na szok cieplny, dobrą odporność na zużycie, nietoksyczną, ochronę środowiska i długą żywotność.

Część stopu ciężkiego wolframu może utrzymać kierunek wyrzucania wiązki jonowej, zwiększyć trwałość komponentu i zrealizować cel zmiany przewodności urządzeń półprzewodnikowych i struktury tranzystora.

Część stopu ciężkiego wolframu może być stosowana do produkcji różnych urządzeń półprzewodników, takich jak tranzystory, obwody zintegrowane, urządzenia mikroelektroniczne, ogniwa słoneczne i tak dalej.

Specyfikacja części stopu ciężkiego wolframu

Stopień	WMO, WNife
Technika	Toczenie, kucie, spłaszczenie, wyżarzanie, obróbka
Punktem topnienia	3410 stopnia
Czystość	Większe lub równe 95%
Rozmiar i kształt	Według rysunków
Maksymalna średnica zewnętrzna	800 mm
Gęstość	19,3 g\/cm3
Powierzchnia	Polerowanie, czyszczenie chemiczne, powłoka w proszku itp.
Standardowy	ASTM B777, DIN, GB, ISO, JIS